Welcome to ichome.com!

logo
Дом

MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

SOT-23

MT3S111P(TE12L,F) Техническая спецификация

несоответствующий

MT3S111P(TE12L,F) Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $0.38250 -
2,000 $0.35700 -
5,000 $0.33915 -
10,000 $0.32513 -
25,000 $0.31620 -
674 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип транзистора NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.) 6V
частота - переход 8GHz
Коэффициент шума (db typ @ f) 1.25dB @ 1GHz
прирост 10.5dB
мощность - макс. 1W
коэффициент усиления постоянного тока (hfe) (мин) @ ic, vce 200 @ 30mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.) 100mA
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
упаковка / кейс TO-243AA
пакет устройства поставщика PW-MINI
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

2SC5108-Y,LF
MAX2601ESA+
BFR93AWH6327XTSA1
KSC1393YBU
KSC1393YBU
$0 $/кусок
KSC1730YTA
KSC1730YTA
$0 $/кусок
BFG310W/XR,115
BFG310W/XR,115
$0 $/кусок
NTE486
NTE486
$0 $/кусок
MRF10502
MRF10502
$0 $/кусок
BFP640H6327XTSA1
NE85619-T1-A
NE85619-T1-A
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.