Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

RN1105MFV,L3F Техническая спецификация

несоответствующий

RN1105MFV,L3F Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип транзистора NPN - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.) 100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
резистор - база (r1) 2.2 kOhms
резистор - эмиттер-база (r2) 47 kOhms
коэффициент усиления постоянного тока (hfe) (мин) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
насыщение vce (макс.) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 5mA
ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
частота - переход -
мощность - макс. 150 mW
тип крепления Surface Mount
упаковка / кейс SOT-723
пакет устройства поставщика VESM
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

UNR221V00L
UNR311200L
DTA124EEBMGTL
DTA124EEBMGTL
$0 $/кусок
UNR421400A
DDTB142JC-7
DDTB142JC-7
$0 $/кусок
DRA2115E0L
MUN5113T1
MUN5113T1
$0 $/кусок
RN1105CT(TPL3)
FJN3303RBU
FJN3303RBU
$0 $/кусок
BCR 169L3 E6327

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.