Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK099V65Z,LQ

TK099V65Z,LQ

TK099V65Z,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN

TK099V65Z,LQ Техническая спецификация

compliant

TK099V65Z,LQ Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $5.25000 $5.25
500 $5.1975 $2598.75
1000 $5.145 $5145
1500 $5.0925 $7638.75
2000 $5.04 $10080
2500 $4.9875 $12468.75
12000 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 30A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 1.27mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 47 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2780 pF @ 300 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 230W (Tc)
рабочая температура 150°C
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 5-DFN (8x8)
упаковка / кейс 4-VSFN Exposed Pad
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RQ3C150BCTB
RQ3C150BCTB
$0 $/кусок
UJ3C065080B3
UJ3C065080B3
$0 $/кусок
CSD17579Q3A
CSD17579Q3A
$0 $/кусок
AOTF3N80
SPB02N60C3ATMA1
EPC2012C
EPC2012C
$0 $/кусок
IPD220N06L3GATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SSP2N60A
SSP2N60A
$0 $/кусок
IRFR9014TRPBF
IRFR9014TRPBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.