Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 100A TO3P

TK100L60W,VQ Техническая спецификация

compliant

TK100L60W,VQ Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $31.20000 $31.2
10 $28.86000 $288.6
100 $24.64800 $2464.8
15 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 100A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.7V @ 5mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 360 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 15000 pF @ 30 V
особенность fet Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.) 797W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-3P(L)
упаковка / кейс TO-3PL
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STP2N62K3
STP2N62K3
$0 $/кусок
IPI80N04S303AKSA1
PSMN8R5-100ESFQ
PSMN8R5-100ESFQ
$0 $/кусок
2SK3054-T1-A
DMN3730UFB4-7
DMN3730UFB4-7
$0 $/кусок
SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3
$0 $/кусок
RM80N150T2
RM80N150T2
$0 $/кусок
IRF8736TRPBF
IRF8736TRPBF
$0 $/кусок
IRF644PBF-BE3
IRF644PBF-BE3
$0 $/кусок
SPA08N80C3XKSA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.