Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS

SOT-23

TK12A55D(STA4,Q,M) Техническая спецификация

несоответствующий

TK12A55D(STA4,Q,M) Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
50 $2.29500 $114.75
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 550 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 570mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 28 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1550 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI8817DB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1
$0 $/кусок
AUIRFS8407-7P
AUIRFS8407-7P
$0 $/кусок
STB16N90K5
STB16N90K5
$0 $/кусок
SIHP6N80E-GE3
SIHP6N80E-GE3
$0 $/кусок
UF3SC120040B7S
UF3SC120040B7S
$0 $/кусок
NXV40UNR
NXV40UNR
$0 $/кусок
UPA1872GR-9JG-E1-A
FDC640P
FDC640P
$0 $/кусок
RM4N700S4
RM4N700S4
$0 $/кусок
AOI2N60

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.