Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 43A TO220

TK30E06N1,S1X Техническая спецификация

несоответствующий

TK30E06N1,S1X Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.99000 $0.99
50 $0.76580 $38.29
100 $0.66690 $66.69
500 $0.49400 $247
1,000 $0.39520 -
2,500 $0.35815 -
5,000 $0.34580 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 43A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 16 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1050 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 53W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220
упаковка / кейс TO-220-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FQP6P25
FQP6P25
$0 $/кусок
SIE810DF-T1-E3
SIE810DF-T1-E3
$0 $/кусок
TBB1012MMTL-E
IRFF221
IRFF221
$0 $/кусок
SI4164DY-T1-GE3
SI4164DY-T1-GE3
$0 $/кусок
TSM900N10CP ROG
FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU-WS
$0 $/кусок
STL8N10LF3
STL8N10LF3
$0 $/кусок
SISS32DN-T1-GE3
SISS32DN-T1-GE3
$0 $/кусок
IPT60R022S7XTMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.