Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220

TK31E60X,S1X Техническая спецификация

compliant

TK31E60X,S1X Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $5.19000 $5.19
50 $4.17160 $208.58
100 $3.80070 $380.07
500 $3.07764 $1538.82
1,000 $2.59560 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 30.8A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 88mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 1.5mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 65 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3000 pF @ 300 V
особенность fet Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.) 230W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220
упаковка / кейс TO-220-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

APT24F50B
APT24F50B
$0 $/кусок
BUK7Y54-75B,115
BUK7Y54-75B,115
$0 $/кусок
RSH070P05GZETB
RSH070P05GZETB
$0 $/кусок
DMN90H2D2HCTI
DMN90H2D2HCTI
$0 $/кусок
IPD60R280CFD7ATMA1
SIHG17N80AE-GE3
SIHG17N80AE-GE3
$0 $/кусок
IPA60R210CFD7XKSA1
IRFPG40PBF
IRFPG40PBF
$0 $/кусок
RSH065N06GZETB
RSH065N06GZETB
$0 $/кусок
BSS340NWH6327XTSA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.