Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

TK31V60W,LVQ Техническая спецификация

compliant

TK31V60W,LVQ Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $4.62000 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 30.8A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 98mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.7V @ 1.5mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 86 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3000 pF @ 300 V
особенность fet Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.) 240W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 4-DFN-EP (8x8)
упаковка / кейс 4-VSFN Exposed Pad
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMNH3010LK3-13
DMNH3010LK3-13
$0 $/кусок
PSMN013-60YLX
PSMN013-60YLX
$0 $/кусок
SUM70040M-GE3
SUM70040M-GE3
$0 $/кусок
IPLK70R1K2P7ATMA1
IPD033N06NATMA1
SI7892BDP-T1-GE3
SI7892BDP-T1-GE3
$0 $/кусок
SQD07N25-350H_GE3
SQD07N25-350H_GE3
$0 $/кусок
BUK768R1-40E,118
BUK768R1-40E,118
$0 $/кусок
FQP630
FQP630
$0 $/кусок
IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.