Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK31Z60X,S1F

TK31Z60X,S1F

TK31Z60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

TK31Z60X,S1F Техническая спецификация

compliant

TK31Z60X,S1F Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $11.83000 $11.83
500 $11.7117 $5855.85
1000 $11.5934 $11593.4
1500 $11.4751 $17212.65
2000 $11.3568 $22713.6
2500 $11.2385 $28096.25
60 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 30.8A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 88mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 1.5mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 65 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3000 pF @ 300 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 230W (Tc)
рабочая температура 150°C
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-247-4L
упаковка / кейс TO-247-4
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

UF3C065080K4S
UF3C065080K4S
$0 $/кусок
APT53F80J
APT53F80J
$0 $/кусок
STL100N6LF6
STL100N6LF6
$0 $/кусок
FCB11N60TM
FCB11N60TM
$0 $/кусок
AOTF600A70FL
SIHG24N65EF-GE3
SIHG24N65EF-GE3
$0 $/кусок
FQI7N80TU
FQI7N80TU
$0 $/кусок
IPLK80R750P7ATMA1
PJD60N04-AU_L2_000A1
IRFTS8342TRPBF

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.