Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK4R1A10PL,S4X

TK4R1A10PL,S4X

TK4R1A10PL,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

TK4R1A10PL,S4X Техническая спецификация

несоответствующий

TK4R1A10PL,S4X Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $2.14000 $2.14
500 $2.1186 $1059.3
1000 $2.0972 $2097.2
1500 $2.0758 $3113.7
2000 $2.0544 $4108.8
2500 $2.033 $5082.5
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 80A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.1mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 104 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 6320 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 54W (Tc)
рабочая температура 175°C
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXFT32N100XHV
IXFT32N100XHV
$0 $/кусок
AOB600A60L
R6015FNX
R6015FNX
$0 $/кусок
IPZA60R180P7XKSA1
PJD4NA65H_L2_00001
SI7431DP-T1-E3
SI7431DP-T1-E3
$0 $/кусок
SQJ860EP-T1_GE3
SQJ860EP-T1_GE3
$0 $/кусок
STF12N120K5
STF12N120K5
$0 $/кусок
IPP60R120P7XKSA1
SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.