Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK6A80E,S4X

TK6A80E,S4X

TK6A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS

TK6A80E,S4X Техническая спецификация

compliant

TK6A80E,S4X Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.89000 $1.89
50 $1.52760 $76.38
100 $1.37480 $137.48
500 $1.06926 $534.63
1,000 $0.88595 -
2,500 $0.85540 -
40 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 800 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 6A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 600µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 32 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1350 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RM16P60LD
RM16P60LD
$0 $/кусок
BSZ035N03LSGATMA1
SISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3
$0 $/кусок
IRFS3206TRRPBF
N0439N-S19-AY
FDME0106NZT
FDME0106NZT
$0 $/кусок
SQD40030E_GE3
SQD40030E_GE3
$0 $/кусок
APT10050JVFR
APT10050JVFR
$0 $/кусок
2SJ325-AZ
AON6250

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.