Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK7R4A10PL,S4X

TK7R4A10PL,S4X

TK7R4A10PL,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

TK7R4A10PL,S4X Техническая спецификация

несоответствующий

TK7R4A10PL,S4X Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 50A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 500µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 44 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2800 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
рабочая температура 175°C
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTLJS4D9N03HTAG
NTLJS4D9N03HTAG
$0 $/кусок
IXFH50N60X
IXFH50N60X
$0 $/кусок
FQT7N10LTF
FQT7N10LTF
$0 $/кусок
NP35N04YUG-E1-AY
STW28NM60ND
STW28NM60ND
$0 $/кусок
SQJQ160E-T1_GE3
SQJQ160E-T1_GE3
$0 $/кусок
G110N06T
G110N06T
$0 $/кусок
TSM180N03CS RLG
SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.