Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK9A60D(STA4,Q,M)

TK9A60D(STA4,Q,M)

TK9A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS

TK9A60D(STA4,Q,M) Техническая спецификация

compliant

TK9A60D(STA4,Q,M) Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
50 $1.63000 $81.5
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 9A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 830mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 24 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1200 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AOT264L
DMN4034SSSQ-13
DMN4034SSSQ-13
$0 $/кусок
NTMFS6H836NLT1G
NTMFS6H836NLT1G
$0 $/кусок
SIE818DF-T1-E3
SIE818DF-T1-E3
$0 $/кусок
IXFA7N100P-TRL
IXFA7N100P-TRL
$0 $/кусок
DN2625K4-G
DN2625K4-G
$0 $/кусок
IPB017N06N3GATMA1
AOT11S60L
RUC002N05T116
RUC002N05T116
$0 $/кусок
FDI038AN06A0

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.