Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

TPN14006NH,L1Q Техническая спецификация

compliant

TPN14006NH,L1Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $0.32200 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 13A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 14mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 15 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1300 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 30W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

TK7Q60W,S1VQ
FDN360P
FDN360P
$0 $/кусок
NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115
$0 $/кусок
APT10035JLL
APT10035JLL
$0 $/кусок
BUK9635-55A,118
BUK9635-55A,118
$0 $/кусок
SI7153DN-T1-GE3
SI7153DN-T1-GE3
$0 $/кусок
AOTF22N50L
SIHP7N60E-GE3
SIHP7N60E-GE3
$0 $/кусок
IPB60R090CFD7ATMA1
TK3A65DA(STA4,QM)

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.