Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

TPN3300ANH,LQ Техническая спецификация

compliant

TPN3300ANH,LQ Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.34075 -
6,000 $0.32900 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 9.4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 33mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 100µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 11 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 880 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 27W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RQ3E150BNTB
RQ3E150BNTB
$0 $/кусок
STF15NM65N
STF15NM65N
$0 $/кусок
RM110N85T2
RM110N85T2
$0 $/кусок
IRLI610ATU
IRLI610ATU
$0 $/кусок
SQJ140ELP-T1_GE3
SQJ140ELP-T1_GE3
$0 $/кусок
BUK7M15-60EX
BUK7M15-60EX
$0 $/кусок
SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3
$0 $/кусок
SSM6J412TU,LF
IXTA6N100D2
IXTA6N100D2
$0 $/кусок
IPB60R055CFD7ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.