Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

TPN4R712MD,L1Q Техническая спецификация

несоответствующий

TPN4R712MD,L1Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $0.27300 -
2397 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 36A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 2.5V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1.2V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 65 nC @ 5 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 4300 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJF7NA80_T0_00001
SIHP35N60EF-GE3
SIHP35N60EF-GE3
$0 $/кусок
IRF7469TRPBF
IRF7469TRPBF
$0 $/кусок
RFD10N05SM
RFD10N05SM
$0 $/кусок
DMP2110UW-7
DMP2110UW-7
$0 $/кусок
IRF9530STRLPBF
IRF9530STRLPBF
$0 $/кусок
UPA2800T1L-E1-AY
RJK0701DPP-E0#T2
SUD50P10-43L-E3
SUD50P10-43L-E3
$0 $/кусок
NTMFS6H801NT1G
NTMFS6H801NT1G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.