Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A

SOT-23

TRS12N65FB,S1Q Техническая спецификация

несоответствующий

TRS12N65FB,S1Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $5.30000 $5.3
500 $5.247 $2623.5
1000 $5.194 $5194
1500 $5.141 $7711.5
2000 $5.088 $10176
2500 $5.035 $12587.5
222 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
конфигурация диода 1 Pair Common Cathode
тип диода Silicon Carbide Schottky
напряжение - постоянное обратное (vr) (макс.) 650 V
ток - средний выпрямленный (io) (на диод) 6A (DC)
напряжение - прямое (vf) (макс.) @ if 1.6 V @ 6 A
скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
время обратного восстановления (trr) 0 ns
ток - обратная утечка @ vr 30 µA @ 650 V
рабочая температура - переход 175°C
тип крепления Through Hole
упаковка / кейс TO-247-3
пакет устройства поставщика TO-247
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SBT80-04Y-DL-E
SBT80-04Y-DL-E
$0 $/кусок
SBR4040CT
SBR4040CT
$0 $/кусок
DSTF30120CR
DSTF30120CR
$0 $/кусок
HERF1008GA
MBR1645CT_T0_00001
DD171N12KAHPSA1
MBR2X120A080
MBR2X120A080
$0 $/кусок
1S953(3)-T2

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.