Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TRS8E65F,S1Q

TRS8E65F,S1Q

TRS8E65F,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

DODE SCHOTTKY 650V TO220

TRS8E65F,S1Q Техническая спецификация

несоответствующий

TRS8E65F,S1Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $3.98000 $3.98
500 $3.9402 $1970.1
1000 $3.9004 $3900.4
1500 $3.8606 $5790.9
2000 $3.8208 $7641.6
2500 $3.781 $9452.5
28 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип диода Silicon Carbide Schottky
напряжение - постоянное обратное (vr) (макс.) 650 V
ток - средний выпрямленный (io) 8A (DC)
напряжение - прямое (vf) (макс.) @ if 1.6 V @ 8 A
скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
время обратного восстановления (trr) 0 ns
ток - обратная утечка @ vr 40 µA @ 650 V
емкость @ vr, f 28pF @ 650V, 1MHz
тип крепления Through Hole
упаковка / кейс TO-220-2
пакет устройства поставщика TO-220-2L
рабочая температура - переход 175°C (Max)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

1N4449/TR
1N4449/TR
$0 $/кусок
UES1106/TR
UES1106/TR
$0 $/кусок
CDBT-40-G
CDBT-40-G
$0 $/кусок
BR320F_R1_00001
BAS16H,115
BAS16H,115
$0 $/кусок
MSC015SDA120K
MSC015SDA120K
$0 $/кусок
PDS1040-13
PDS1040-13
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.