Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | N-Channel |
| технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 36A (Tc) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 20V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 90mOhm @ 18A, 20V |
| vgs(th) (макс) @ id | 5.8V @ 20mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 67 nC @ 20 V |
| вгс (макс) | ±25V, -10V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 1680 pF @ 800 V |
| особенность fet | Standard |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 272W (Tc) |
| рабочая температура | -55°C ~ 175°C |
| тип крепления | Through Hole |
| пакет устройства поставщика | TO-3P(N) |
| упаковка / кейс | TO-3P-3, SC-65-3 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.