Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Not For New Designs |
тип fet | N-Channel |
технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 600 V |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 17A (Tc) |
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 10V |
rds на (макс) @ id, vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
vgs(th) (макс) @ id | 2.6V @ 500µA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
вгс (макс) | ±18V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 760 pF @ 480 V |
особенность fet | - |
рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) |
рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления | Through Hole |
пакет устройства поставщика | TO-220AB |
упаковка / кейс | TO-220-3 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.