Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Active |
тип fet | N-Channel |
технология | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 1200 V |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 120A (Tc) |
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 12V |
rds на (макс) @ id, vgs | 11mOhm @ 100A, 12V |
vgs(th) (макс) @ id | 6V @ 10mA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 234 nC @ 15 V |
вгс (макс) | ±20V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 8512 pF @ 100 V |
особенность fet | - |
рассеиваемая мощность (макс.) | 789W (Tc) |
рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления | Through Hole |
пакет устройства поставщика | TO-247-4 |
упаковка / кейс | TO-247-4 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.