Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI4686DY-T1-GE3

SI4686DY-T1-GE3

SI4686DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO

SI4686DY-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SI4686DY-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.73800 -
5,000 $0.70335 -
12,500 $0.67860 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 18.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 26 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1220 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 5.2W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-SOIC
упаковка / кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIHF35N60EF-GE3
SIHF35N60EF-GE3
$0 $/кусок
FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/кусок
RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR
$0 $/кусок
BSC110N06NS3GATMA1
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/кусок
SIHG24N80AE-GE3
SIHG24N80AE-GE3
$0 $/кусок
SIJH600E-T1-GE3
SIJH600E-T1-GE3
$0 $/кусок
PSMN005-30K,518
PSMN005-30K,518
$0 $/кусок
SQS423EN-T1_BE3
SQS423EN-T1_BE3
$0 $/кусок
SIR418DP-T1-GE3
SIR418DP-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.