Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI4838BDY-T1-GE3

SI4838BDY-T1-GE3

SI4838BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 34A 8SO

SI4838BDY-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SI4838BDY-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.77080 -
5,000 $0.73461 -
12,500 $0.70876 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 12 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 34A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 2.7mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 84 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 5760 pF @ 6 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-SOIC
упаковка / кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IGO60R070D1AUMA1
STU7NF25
STU7NF25
$0 $/кусок
FDD4141
FDD4141
$0 $/кусок
IXTY02N120P
IXTY02N120P
$0 $/кусок
SQJ160EP-T1_GE3
SQJ160EP-T1_GE3
$0 $/кусок
SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3
$0 $/кусок
RJK0656DPB-00#J5
PMN55ENEAX
PMN55ENEAX
$0 $/кусок
SIB457EDK-T1-GE3
SIB457EDK-T1-GE3
$0 $/кусок
SQSA70CENW-T1_GE3
SQSA70CENW-T1_GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.