Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

SI5418DU-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SI5418DU-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 30 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1350 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® ChipFET™ Single
упаковка / кейс PowerPAK® ChipFET™ Single
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STL86N3LLH6AG
STL86N3LLH6AG
$0 $/кусок
ZVP2106A
ZVP2106A
$0 $/кусок
SQ3426EV-T1_BE3
SQ3426EV-T1_BE3
$0 $/кусок
IRFR3710ZTRPBF
IPW65R150CFDAFKSA1
MTP16N25E
MTP16N25E
$0 $/кусок
SI2314EDS-T1-GE3
SI2314EDS-T1-GE3
$0 $/кусок
AOUS66616
FCP360N65S3R0
FCP360N65S3R0
$0 $/кусок
IPB180N04S4LH0ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.