Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8

SI7112DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SI7112DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.76358 -
6,000 $0.72773 -
15,000 $0.70212 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2610 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
рабочая температура -50°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

R6511KNXC7G
R6511KNXC7G
$0 $/кусок
BSS138
BSS138
$0 $/кусок
SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3
$0 $/кусок
RM20N650T2
RM20N650T2
$0 $/кусок
SCT040H65G3AG
SCT040H65G3AG
$0 $/кусок
IRF2807STRRPBF
SIHF9520S-GE3
SIHF9520S-GE3
$0 $/кусок
AOB260L
FQPF6P25
FQPF6P25
$0 $/кусок
2N7002WT1G
2N7002WT1G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.