Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7386DP-T1-GE3

SI7386DP-T1-GE3

SI7386DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

SI7386DP-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SI7386DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.63419 -
6,000 $0.60441 -
15,000 $0.58314 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds -
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRFS614B
IRFS614B
$0 $/кусок
SI1330EDL-T1-BE3
SI1330EDL-T1-BE3
$0 $/кусок
TSM9435CS RLG
IRFW620BTM
IRFW620BTM
$0 $/кусок
SQJ138ELP-T1_GE3
SQJ138ELP-T1_GE3
$0 $/кусок
BSZ0702LSATMA1
IPA65R150CFDXKSA2
SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3
$0 $/кусок
SSM3J145TU,LXHF
AOW25S65

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.