Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

SI7726DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SI7726DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.42640 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 35A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.6V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 43 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1765 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
рабочая температура -50°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIS434DN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3
$0 $/кусок
DMP510DL-7
DMP510DL-7
$0 $/кусок
FDMA507PZ
FDMA507PZ
$0 $/кусок
RM30N100LD
RM30N100LD
$0 $/кусок
IPN70R450P7SATMA1
NTMFS5C404NLTWFT1G
NTMFS5C404NLTWFT1G
$0 $/кусок
IXTA3N110
IXTA3N110
$0 $/кусок
IXFA16N60P3
IXFA16N60P3
$0 $/кусок
NVMJS0D9N04CTWG
NVMJS0D9N04CTWG
$0 $/кусок
SIHB18N60E-GE3
SIHB18N60E-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.