Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

SI7898DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SI7898DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.96859 -
6,000 $0.93498 -
2508 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 150 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 3A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 21 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds -
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXTY1N120P
IXTY1N120P
$0 $/кусок
IPD90P04P4L04ATMA1
FQA19N60
FQA19N60
$0 $/кусок
IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/кусок
SI2323DS-T1-BE3
SI2323DS-T1-BE3
$0 $/кусок
IPD30N06S223ATMA2
SQJ416EP-T1_BE3
SQJ416EP-T1_BE3
$0 $/кусок
FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/кусок
SIHD7N60ET4-GE3
SIHD7N60ET4-GE3
$0 $/кусок
IPD70R360P7SAUMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.