Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK

SIA106DJ-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIA106DJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.37765 -
6,000 $0.35314 -
15,000 $0.34088 -
30,000 $0.33420 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 10A (Ta), 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 540 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

TK20G60W,RVQ
AOT27S60L
FDD86102LZ
FDD86102LZ
$0 $/кусок
DMN6066SSS-13
DMN6066SSS-13
$0 $/кусок
AOTF4N90
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
HAT1043M-EL-E
PSMN1R9-25YLC,115
PSMN1R9-25YLC,115
$0 $/кусок
IRL530NSTRLPBF
NVTFWS010N10MCLTAG
NVTFWS010N10MCLTAG
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.