Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

SIA414DJ-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIA414DJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.44280 -
6,000 $0.42201 -
15,000 $0.40716 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 8 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.2V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 800mV @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 32 nC @ 5 V
вгс (макс) ±5V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1800 pF @ 4 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRFB4019PBF
IRFB4019PBF
$0 $/кусок
IPD11DP10NMATMA1
STF35N65M5
STF35N65M5
$0 $/кусок
AOD2810
TPH3R203NL,L1Q
SQJ479EP-T1_GE3
SQJ479EP-T1_GE3
$0 $/кусок
DMP45H4D9HK3-13
DMP45H4D9HK3-13
$0 $/кусок
STW50N65DM2AG
STW50N65DM2AG
$0 $/кусок
PJP7NA60_T0_00001
RM150N150HD
RM150N150HD
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.