Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK

SIA416DJ-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIA416DJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 83mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 10 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 295 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AOT4N60
RJK60S5DPK-M0#T0
FDB016N04AL7
FDB016N04AL7
$0 $/кусок
STD4N90K5
STD4N90K5
$0 $/кусок
RM13P40S8
RM13P40S8
$0 $/кусок
NTD5862NT4G
NTD5862NT4G
$0 $/кусок
RS3E180ATTB1
RS3E180ATTB1
$0 $/кусок
IPC100N04S5L1R5ATMA1
FQB8N60CFTM
FQB8N60CFTM
$0 $/кусок
SIHH24N65EF-T1-GE3
SIHH24N65EF-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.