Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

SOT-23

SIA811ADJ-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIA811ADJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 4.5A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 13 nC @ 8 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 345 pF @ 10 V
особенность fet Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6 Dual
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6 Dual
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RM80N80HD
RM80N80HD
$0 $/кусок
RTF010P02TL
RTF010P02TL
$0 $/кусок
NTE2930
NTE2930
$0 $/кусок
IXFB110N60P3
IXFB110N60P3
$0 $/кусок
NTLUS020N03CTAG
NTLUS020N03CTAG
$0 $/кусок
APT50M65LLLG
APT50M65LLLG
$0 $/кусок
BSZ110N08NS5ATMA1
IRF3415STRLPBF
BSC118N10NSGATMA1
SIHG73N60AE-GE3
SIHG73N60AE-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.