Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR104ADP-T1-RE3

SIDR104ADP-T1-RE3

SIDR104ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

SIDR104ADP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIDR104ADP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $2.68000 $2.68
500 $2.6532 $1326.6
1000 $2.6264 $2626.4
1500 $2.5996 $3899.4
2000 $2.5728 $5145.6
2500 $2.546 $6365
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 18.8A (Ta), 81A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 70 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3250 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5.4W (Ta), 100W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMTH12H007SPS-13
DMP6023LFG-13
DMP6023LFG-13
$0 $/кусок
SQJ150EP-T1_GE3
SQJ150EP-T1_GE3
$0 $/кусок
RF1S25N06SM9A
RF1S25N06SM9A
$0 $/кусок
SIS4604DN-T1-GE3
SIS4604DN-T1-GE3
$0 $/кусок
2SK1852-T-AZ
SIHD14N60ET1-GE3
SIHD14N60ET1-GE3
$0 $/кусок
NTB7D3N15MC
NTB7D3N15MC
$0 $/кусок
IPT65R125CFD7XTMA1
IMBG65R072M1HXTMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.