Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR220DP-T1-GE3

SIDR220DP-T1-GE3

SIDR220DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK

SIDR220DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIDR220DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.49243 $1.49243
500 $1.4775057 $738.75285
1000 $1.4625814 $1462.5814
1500 $1.4476571 $2171.48565
2000 $1.4327328 $2865.4656
2500 $1.4178085 $3544.52125
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 25 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 87.7A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 200 nC @ 10 V
вгс (макс) +16V, -12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1085 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

MCB60I1200TZ-TUB
MCB60I1200TZ-TUB
$0 $/кусок
RJK0397DPA-0G#J7A
SQS850EN-T1_BE3
SQS850EN-T1_BE3
$0 $/кусок
HAT1096C-EL-E
HAT1096C-EL-E
$0 $/кусок
DMTH43M8LPSQ-13
DMTH43M8LPSQ-13
$0 $/кусок
MSCSM120DAM31CTBL1NG
SI3433CDV-T1-BE3
SI3433CDV-T1-BE3
$0 $/кусок
DMN2053UW-13
DMN2053UW-13
$0 $/кусок
G10P03
G10P03
$0 $/кусок
MTY25N60E
MTY25N60E
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.