Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR390DP-T1-GE3

SIDR390DP-T1-GE3

SIDR390DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

SIDR390DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIDR390DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $1.27323 -
6,000 $1.22905 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 69.9A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 0.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 153 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 10180 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SCT3105KLHRC11
SCT3105KLHRC11
$0 $/кусок
AOD66920
IXFH69N30P
IXFH69N30P
$0 $/кусок
PMT560ENEAX
PMT560ENEAX
$0 $/кусок
PSMN5R0-30YL,115
PSMN5R0-30YL,115
$0 $/кусок
R6024KNZ1C9
R6024KNZ1C9
$0 $/кусок
HUF76423D3S
HUF76423D3S
$0 $/кусок
IPD50N04S408ATMA1
SQJA36EP-T1_GE3
SQJA36EP-T1_GE3
$0 $/кусок
PJP45N06A_T0_00001

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.