Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR5802EP-T1-RE3

SIDR5802EP-T1-RE3

SIDR5802EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

SIDR5802EP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIDR5802EP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 34.2A (Ta), 153A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 60 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3020 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI5458DU-T1-GE3
SI5458DU-T1-GE3
$0 $/кусок
FDBL0630N150
FDBL0630N150
$0 $/кусок
BSS306NH6327XTSA1
IPB160N04S4H1ATMA1
SQ3481EV-T1_GE3
SQ3481EV-T1_GE3
$0 $/кусок
MMDF4N01HDR2
MMDF4N01HDR2
$0 $/кусок
AON7246E
XPH4R10ANB,L1XHQ
PSMN5R0-40MLHX
PSMN5R0-40MLHX
$0 $/кусок
RJ1P12BBDTLL
RJ1P12BBDTLL
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.