Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR610EP-T1-RE3

SIDR610EP-T1-RE3

SIDR610EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE

SIDR610EP-T1-RE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIDR610EP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $3.93000 $3.93
500 $3.8907 $1945.35
1000 $3.8514 $3851.4
1500 $3.8121 $5718.15
2000 $3.7728 $7545.6
2500 $3.7335 $9333.75
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 38 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1380 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RFD16N05NL
RFD16N05NL
$0 $/кусок
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/кусок
STS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG
$0 $/кусок
NP100N04PUK(1)-E1-AY
HUF76409D3ST
SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3
$0 $/кусок
SQJA84EP-T1_BE3
SQJA84EP-T1_BE3
$0 $/кусок
IRFP4004PBF
IRFP4004PBF
$0 $/кусок
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/кусок
FDD8782
FDD8782
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.