Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK

SIDR622DP-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIDR622DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $1.46347 -
6,000 $1.40927 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 150 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 17.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 41 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1516 pF @ 75 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

HUFA76407D3
HUFA76407D3
$0 $/кусок
SI1443EDH-T1-BE3
SI1443EDH-T1-BE3
$0 $/кусок
AUIRF1018E
AUIRF1018E
$0 $/кусок
HUF76009D3ST
AUIRF7799L2TR
AUIRF7799L2TR
$0 $/кусок
PJQ5444-AU_R2_000A1
FQPF30N06L
FQPF30N06L
$0 $/кусок
TK560A60Y,S4X
RQ3L070ATTB
RQ3L070ATTB
$0 $/кусок
TSM070NA04LCR RLG

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.