Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR626EP-T1-RE3

SIDR626EP-T1-RE3

SIDR626EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

SIDR626EP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIDR626EP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $3.49000 $3.49
500 $3.4551 $1727.55
1000 $3.4202 $3420.2
1500 $3.3853 $5077.95
2000 $3.3504 $6700.8
2500 $3.3155 $8288.75
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 50.8A (Ta), 227A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.74mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 102 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 5130 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIS178LDN-T1-GE3
SIS178LDN-T1-GE3
$0 $/кусок
IPA030N10NF2SXKSA1
FDD6670S
FDD6670S
$0 $/кусок
STH175N4F6-6AG
STH175N4F6-6AG
$0 $/кусок
MMIX1F360N15T2
MMIX1F360N15T2
$0 $/кусок
IRFR5505TRLPBF
BS870Q-7-F
BS870Q-7-F
$0 $/кусок
NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG
$0 $/кусок
IPB60R045P7ATMA1
FDD6030BL
FDD6030BL
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.