Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

SIDR668DP-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIDR668DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $1.40333 -
6,000 $1.35135 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 23.2A (Ta), 95A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 108 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 5400 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RF1S50N06SM9A
R6024VNXC7G
R6024VNXC7G
$0 $/кусок
AUIRF6215
AUIRF6215
$0 $/кусок
IXTH68P20T
IXTH68P20T
$0 $/кусок
SI2356DS-T1-GE3
SI2356DS-T1-GE3
$0 $/кусок
FQP3N50C
FQP3N50C
$0 $/кусок
IPI65R110CFD
IPI65R110CFD
$0 $/кусок
SQS415ENW-T1_GE3
SQS415ENW-T1_GE3
$0 $/кусок
STB80N4F6AG
STB80N4F6AG
$0 $/кусок
MSC035SMA070S
MSC035SMA070S
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.