Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

SIJA52DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIJA52DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.65764 -
6,000 $0.62676 -
15,000 $0.60471 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 150 nC @ 20 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 7150 pF @ 20 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 48W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FQP6N40C
FQP6N40C
$0 $/кусок
TSM4424CS RVG
SI4874BDY-T1-GE3
SI4874BDY-T1-GE3
$0 $/кусок
SPD30N08S2-22
SPD30N08S2-22
$0 $/кусок
SQJQ112E-T1_GE3
SQJQ112E-T1_GE3
$0 $/кусок
BUK653R4-40C,127
BUK653R4-40C,127
$0 $/кусок
TK5A65D(STA4,Q,M)
BUZ323
BUZ323
$0 $/кусок
SI2310B-TP
SI2310B-TP
$0 $/кусок
MAX8704EUB

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.