Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

SIR410DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIR410DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.47740 -
6,000 $0.45353 -
15,000 $0.43648 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 35A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 41 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1600 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPA80R310CEXKSA2
IPB038N12N3GATMA1
FDMS2504SDC
FDMS2504SDC
$0 $/кусок
STP410N4F7AG
STP410N4F7AG
$0 $/кусок
IRF9Z34SPBF
IRF9Z34SPBF
$0 $/кусок
BUK7E5R2-100E,127
BUK7E5R2-100E,127
$0 $/кусок
RMD1N25ES9
RMD1N25ES9
$0 $/кусок
RF4E075ATTCR
RF4E075ATTCR
$0 $/кусок
FDBL9403-F085
FDBL9403-F085
$0 $/кусок
2SK2851TZ-E

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.