Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8

SIR610DP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIR610DP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.96289 -
6,000 $0.92948 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 35.4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 38 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1380 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 104W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMP1005UFDF-13
DMP1005UFDF-13
$0 $/кусок
DMN2990UFB-7B
DMN2990UFB-7B
$0 $/кусок
RM12N100S8
RM12N100S8
$0 $/кусок
H5N3011P80-E#T2
SI4842BDY-T1-GE3
SI4842BDY-T1-GE3
$0 $/кусок
IPDD60R080G7XTMA1
NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G
$0 $/кусок
SSM3J351R,LXHF
IPS105N03LG
IPS105N03LG
$0 $/кусок
APT10090BFLLG
APT10090BFLLG
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.