Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK

SIR826BDP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIR826BDP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 5.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.8V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 69 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3030 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 83W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SQA470EJ-T1_GE3
SQA470EJ-T1_GE3
$0 $/кусок
DMNH4005SCT
DMNH4005SCT
$0 $/кусок
STB33N60DM2
STB33N60DM2
$0 $/кусок
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/кусок
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/кусок
SQM120N03-1M5L_GE3
SQM120N03-1M5L_GE3
$0 $/кусок
TSM60NB190CI C0G
DMT6005LSS-13
DMT6005LSS-13
$0 $/кусок
HUF75623P3
HUF75623P3
$0 $/кусок
SPB04N60C3E3045A

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.