Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

SIRA10DP-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIRA10DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.49200 -
6,000 $0.46890 -
15,000 $0.45240 -
2512 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 51 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2425 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 40W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PMV100XPEA,215
PMV100XPEA,215
$0 $/кусок
IXFH46N65X2
IXFH46N65X2
$0 $/кусок
STFU24N60M2
STFU24N60M2
$0 $/кусок
FQD2N50TF
FQD2N50TF
$0 $/кусок
DMP2067LVT-13
DMP2067LVT-13
$0 $/кусок
FQP6N50C
FQP6N50C
$0 $/кусок
2SK2932-E
APL502LG
APL502LG
$0 $/кусок
STFW3N150
STFW3N150
$0 $/кусок
SI7108DN-T1-GE3
SI7108DN-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.