Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

SIRA32DP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIRA32DP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.50266 -
6,000 $0.47906 -
15,000 $0.46220 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 25 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 83 nC @ 10 V
вгс (макс) +16V, -12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 4450 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 65.7W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FDMS7682
FDMS7682
$0 $/кусок
DMP3050LVT-7
DMP3050LVT-7
$0 $/кусок
FDD86367
FDD86367
$0 $/кусок
IXFH100N30X3
IXFH100N30X3
$0 $/кусок
STI28N60M2
STI28N60M2
$0 $/кусок
FQI10N20CTU
FQI10N20CTU
$0 $/кусок
SI4056DY-T1-GE3
SI4056DY-T1-GE3
$0 $/кусок
IPB180N04S400ATMA1
AOT2904
TSM032NH04CR RLG

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.