Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

SIS184DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIS184DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.69749 -
6,000 $0.66474 -
15,000 $0.64135 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 32 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1490 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STB120N4F6
STB120N4F6
$0 $/кусок
SIHFS11N50A-GE3
SIHFS11N50A-GE3
$0 $/кусок
FDS86540
FDS86540
$0 $/кусок
PSMN4R3-30BL,118
PSMN4R3-30BL,118
$0 $/кусок
IXTA42N15T
IXTA42N15T
$0 $/кусок
RQ6L020SPTCR
RQ6L020SPTCR
$0 $/кусок
IRFR3411PBF
IRFR3411PBF
$0 $/кусок
ZXMN6A08E6QTA
ZXMN6A08E6QTA
$0 $/кусок
PMV16XNR
PMV16XNR
$0 $/кусок
IAUC120N04S6L005ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.