Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8

SIS429DNT-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIS429DNT-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
6,000 $0.14435 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 20A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 21mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 50 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1350 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 27.8W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI4431BDY-T1-E3
SI4431BDY-T1-E3
$0 $/кусок
CSD17576Q5B
CSD17576Q5B
$0 $/кусок
NDS9430
NDS9430
$0 $/кусок
CSD19534Q5A
CSD19534Q5A
$0 $/кусок
NVMFS6H801NLWFT1G
NVMFS6H801NLWFT1G
$0 $/кусок
STB47N50DM6AG
STB47N50DM6AG
$0 $/кусок
STW48N60M6
STW48N60M6
$0 $/кусок
IXTH6N50D2
IXTH6N50D2
$0 $/кусок
IPB048N15N5LFATMA1
PMXB56ENZ
PMXB56ENZ
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.