Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

SIS888DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIS888DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.77490 -
6,000 $0.73852 -
15,000 $0.71253 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 150 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 20.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 58mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 420 pF @ 75 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TA)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPW60R125P6XKSA1
BUK963R2-40B,118
BUK963R2-40B,118
$0 $/кусок
FDS5670
FDS5670
$0 $/кусок
SQM50P04-09L_GE3
SQM50P04-09L_GE3
$0 $/кусок
IXTY32P05T
IXTY32P05T
$0 $/кусок
IPB011N04LGATMA1
BUK7523-75A,127
BUK7523-75A,127
$0 $/кусок
SSU1N60BTU
SSU1N60BTU
$0 $/кусок
RD3G07BATTL1
RD3G07BATTL1
$0 $/кусок
C3M0016120D
C3M0016120D
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.