Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISA10BDN-T1-GE3

SISA10BDN-T1-GE3

SISA10BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

SISA10BDN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SISA10BDN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
6050 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 26A (Ta), 104A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 36.2 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1710 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 63W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SQJ418EP-T1_BE3
SQJ418EP-T1_BE3
$0 $/кусок
NDS351AN
NDS351AN
$0 $/кусок
DMT3008LFDF-7
DMT3008LFDF-7
$0 $/кусок
SIHLR120-GE3
SIHLR120-GE3
$0 $/кусок
IPP093N06N3GXKSA1
STL17N65M5
STL17N65M5
$0 $/кусок
SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3
$0 $/кусок
DMP3056L-13
DMP3056L-13
$0 $/кусок
STP19NF20
STP19NF20
$0 $/кусок
IXTH20N65X
IXTH20N65X
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.